فن آوری های روز حافظه (RAM، Flash Memory،…) مشکلات متعددی را برای مصرف کنندگان آنها به وجودآورده است که به عنوان نمونه می توان به سرعت پایین خواندن و نوشتن روی Flash Memories و یا محدودیت اقتصادی افزایش فضای RAM اشاره کرد. MRAM یک فن آوری حافظه پایدار است که علاوه بر سرعت بالا می تواندظرفیت حافظه بالایی را نیز فراهم کند.اساس کار MRAM بر پایه تفاوت مقاومت الکتریکی لایه های نازک مواد بر اثر قطبیده شدن ذرات آنها در راستاهای متفاوت می باشد؛ که به مقاومت مغناطیسی موسوم است.چون سلول های حافظه MRAM بر پایه ترانزیستور عمل نمی کنند پس درابعاد کوچک مشکلاتی نظیرتونل زنی رخ نمی دهد.